位于武汉经开区的智新半导体有限公司在 IGBT 研发生产上不断取得突破。
其第一条生产线以国际一流的第 6 代 IGBT 芯片技术为基础，于 2021 年 7 月 7 日启动量产，一期产能 30 万只，主要生产 400V 硅基 IGBT 模块，实现了国产 IGBT 模块从无到有的突破。今年 4 月，第二条生产线投用，规划产能 40 万只，兼容生产 400V 硅基 IGBT 模块和 800V 碳化硅模块，产线的国产化率达到 70%。800V 碳化硅模块采用纳米银烧结工艺、铜键合技术，散热性能更好、耐压能力更强，能量转化效率提高 3%。
智新半导体正规划第三条生产线，规划年产能 50 万只，到 2025 年，将达到总产能 120 万只 IGBT 模块，全力支撑东风公司新能源车的销量目标5。同时，公司还在研发双面水冷塑封碳化硅模块，体积将减小 40％，能实现更低损耗、更高效率。
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